第343章 卡脖子技术 (第2/4页)
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考虑干式光刻，因为光从投影物镜射出，由玻璃介质进入空气介质，会发生衍射，光角度发生变化，最终成像于晶圆表面。随着线宽不断缩小，衍射效应不断增加，需要增大投影物镜直径来接 受更多的光，这导 致物镜内聚焦的光角度越来越大， 再经过折射效应，射出投影 物镜的光角度接近水平，无法成像。严重限制了半导体器件特征尺寸的进一步微缩。
而浸润式光刻技术使光刻水平进一步提高:投影物镜下方和晶圆间充满水，由于水的折射率和玻璃接近在193nm波长中,折射率空气=1，水=1.44，玻璃约为1.5，从投影物镜射出的光进入水介质后，折射角较小，光可以正常从物镜中折射出来。ArF光源加浸润技术实际等效的波长为193nm\/1.44=134nm。
另外，这种光刻技术利用多重曝光工艺实现更小线宽。
考虑到蓝星的半导体刻蚀、沉积等 工艺与地球世界相差甚远，我最终放弃了SAdp，决定采用LFLE工艺进行多重曝光。
LFLE LItho-FREEZE-LItho-Etch光刻-固化- 光刻-刻蚀 :原理是将第二层光刻胶加在第一层已被化学冻结但没去除的光刻胶上，再次进行光刻，形成两倍结构。
LFLF技术的特点就是流程简单，缺点是两次光刻之间存在对准问题，如果工艺不够严谨，每次曝光的线宽偏差和两次曝光图形之间套刻误差将图形局部周期性的起伏。
之前，我带领团队开发的套刻测量设备便派上了 用场一定程度上解决了套刻误差的问题。
除此之外，我还牵头开发了干式平面电机双工件台、塞曼-双折射双频激光干涉仪实现光刻机在光刻过程中对晶圆、物镜系统、工作台位置的超精准定位、直线式劳埃透镜镀膜装置镀膜精度控制在0.1 纳米，0.18μ m到40nm 性能表现相当于地球世界7nm制程纯硅芯片各个制程节点的半导体掩膜、浸润系统、ArF光刻胶……一系列光刻机核心部件和子系统。
在晶体结构方面，我提出使用FinFEt结构全面取代平面moSFEt结构，并开发了配套的EdA设计软件，得到国内芯片设计代工企业的一致认可。
高瑶时代除了研究电池，最主要的就是研究芯片、系统和屏幕，当然也有研究发动机，不过发动机这块放到了哈工大，成为了国家机密。
在我隐姓埋名搞科研的时间，我的团队和国内手机企业华维合作，开发搭
![也没说还要干这个啊[快穿]](https://www.yhzw.org/images/dWpzNDU5OHNkZmQyNWVkZmQ0o6nRWcAfgzBXECwfZYsBbyy6INWtPSHRXCTaTYoC)